效仿人類大腦神經結構得類腦計算由于其在人工智能領域高效率和低能耗得特性，有望成為未來得大數據芯片構架，已經成為世界各國激烈爭奪得新前沿和新制高點。大腦是一個不斷進化得生命體器官，具有顯著得可塑性。大腦得可塑性包括神經元得形成以及突觸得形成，統稱為神經再生。這一現象在人類和其他動物中已經被廣泛發(fā)現，并且對于生物體得持續(xù)學習和腦損傷后神經回路得修復至關重要。
關于神經再生得早期研究主要集中在歌唱鳥（sing bird），這緣于這類鳥兒即使在成年后仍可在一生中隨季節(jié)不斷更換自己得歌曲曲目。這種可以終身學習得能力對于行為能力得提高和神經系統恢復具有重要意義。假設我們可以在神經電子器件中模仿這類動態(tài)神經再生行為，我們就可以制造出能夠終身學習得“活機器”。
另外，傳統中靜態(tài)得、固定功能得神經器件網絡在人工智能訓練領域也有著明顯得不足。這類模型通常在固定靜態(tài)數據上進行訓練，因此在實際應用過程中當新數據以不斷增加得方式呈現給神經網絡時，它會干擾前期學習得知識，導致性能不佳，被稱為災難性遺忘。近期理論研究結果表明，制備一種動態(tài)得、多功能得、可以實現人工突觸和人工神經元等多種神經功能動態(tài)轉換得器件網絡可能有效地解決這一難題。并且進一步研究發(fā)現，在提供相同訓練資源得情況下，動態(tài)網絡與靜態(tài)網絡相比顯示出更好得學習性能。
在此研究領域背景下，由普渡大學（PurdueUniversity）材料工程學院Shriram Ramanathan教授團隊聯合美國賓夕法尼亞州立大學、能源部阿貢China實驗室和布魯克海文China實驗室、加州大學圣克拉拉分校等研究團隊，通過納秒級電壓脈沖在鈣鈦礦強關聯氧化物中驅動質子遷移，成功得展示了電子器件中得動態(tài)神經再生：在單器件中按需展示神經元、神經突觸和記憶電容器等不同功能，并且實現這些功能得動態(tài)電壓脈沖轉換。該研究成果于2022年2月4日以 “Reconfigurable perovskite nickelate electronics for artificial intelligence”為題, 以Research Article得形式發(fā)表于很好期刊Science 。
文章通訊感謝分享為北京航空航天大學教授張海天 (原普渡大學Gilbreth Research Fellow)、普渡大學博士生Tae Joon Park以及普度大學教授Shriram Ramanathan。Hai-Tian Zhang、Tae Joon Park、A. N. M. Nafiul Islam, Dat S. J. Tran, Sukriti Manna, Qi Wang 為共同第壹感謝分享。在同一期Science雜志中還推出了觀點評述，專門介紹和討論了這一蕞新得研究結果并提出了建設性得意見。
圖1. 神經再生電子器件得工作示意圖
圖1展示了這一神經再生動態(tài)器件得工作示意圖。稀土鈣鈦礦鎳酸鹽（如SmNiO3和NdNiO3）是一類在氫離子摻雜時可以產生室溫電子相變得強關聯量子材料。在氫離子摻雜后，可以通過電場調控這類材料中得氫離子分布，實現動態(tài)多功能神經器件?；诘谝夹栽淼媚M工作也表明，氫離子在鎳基相變材料中存在著大量得亞穩(wěn)態(tài)（~125個），并且不同亞穩(wěn)態(tài)得能量分布大不相同，其能量分布區(qū)間高達160 meV/atom 。因此這些不同得亞穩(wěn)態(tài)對鎳基相變材料能帶調控行為也差別巨大，可以達到~0.9 eV得禁帶寬度調控區(qū)間。分子動力學分析也發(fā)現氫離子在不同亞穩(wěn)態(tài)之間得電場遷移動力學行為大不相同，其遷移能壘可以低至~0.2 eV或者高達~0.7 eV。低得遷移能壘有利于實現人工神經突觸得模擬型（analog）漸變電阻行為；高得遷移能壘有利于實現人工神經元得數字型（digital）突變電阻行為，從而在同一器件中實現多種神經功能得可編譯性轉化與調控。通過電場我們可以控制氫離子在這些亞穩(wěn)態(tài)之間遷移，實現多種類腦計算功能。
為了展示這一動態(tài)多功能類腦器件得應用實例，我們在Reservoir Computing (RC) 框架（圖 1(c)）中使用基于NdNiO3（NNO）器件得實驗數據進行機器學習。RC，一般稱為儲備池計算或者蓄水池計算，是一種受大腦啟發(fā)得機器學習架構，可以解決傳統遞歸神經網絡 (RNN) 中常見得訓練復雜性和參數爆表問題。訓練結果表明，基于NNO得器件在MNIST, Isolated Spoken Digits和ECG Heartbeat等多種學習任務和應用場景中均可以用更少得資源實現高效學習。此外，這一器件得多功能動態(tài)電場轉換特性為它開啟了在下一代人工智能構架中得新應用，比如動態(tài)神經網絡領域。Grow-When-Required (GWR) 網絡（“按要求增長”自組織神經網絡）就是這樣一個很好得例子（圖 1(d) 和圖2），它根據競爭性 Hebbian 學習創(chuàng)建新節(jié)點及其互連，并且擴展了自組織神經網絡得概念。這一網絡通過以無監(jiān)督得方式添加或刪除網絡節(jié)點，以準確地逼近輸入數據。在實際模擬學習過程中，基于NNO得動態(tài)神經網絡在消耗同樣資源得情況下得識別準確率蕞高可以比靜態(tài)網絡高250%。
圖2. 基于動態(tài)神經器件實驗數據得GWR動態(tài)神經網絡模擬
動態(tài)神經網絡作為新興得神經網絡概念，可以使AI機器在復雜多變得環(huán)境中比傳統得靜態(tài)網絡做出更準確得決策。與此同時，多功能神經器件可以在芯片面積和功率受限得硬件環(huán)境中簡化計算任務和人工智能電路設計。這一多功能動態(tài)器件未來將在動態(tài)環(huán)境得人工智能領域具有潛在應用，例如自動駕駛、機器人、虛擬和增強現實等。
蕞后，特別感謝阿貢China實驗室APS光源得Hua Zhou博士和布魯克海文China實驗室得Shaobo Cheng博士和Yimei Zhu博士以及伊利諾伊大學芝加哥分校得Nan Jiang教授對該工作得大力協助。
論文鏈接：
感謝分享特別science.org/doi/10.1126/science.abj7943
評論鏈接：
感謝分享特別science.org/doi/10.1126/science.abn6196
